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微電子器件常用的低氣壓試驗標(biāo)準(zhǔn)

作者： salmon范編輯：瑞凱儀器來源： www.zysdty.com 發(fā)布日期： 2020.10.31

    通常，微電子器件產(chǎn)品使用如下幾個低氣壓試驗標(biāo)準(zhǔn):
    1）CJB 150.2A-2009《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第二部分低氣壓（高度）試驗》；
    2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法方法105低氣壓試驗》（等效美軍標(biāo)MIL-STD- 202F）；
    3）GJB 548B-2005 《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D）；
    4）CB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗總則》；
    5）GB/T 2423.21-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M低氣壓試驗方法》；
    6）CB/T 2423.25-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ZAM低溫/低氣壓綜合試驗方法》；
    7）CB/T 2423.26-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BM高溫/低氣壓綜合試驗方法>；
    8）CB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ZAMD高溫/低氣壓綜合試驗方法》；
    9）CB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》。

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